Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Diodi - Raddrizzatori - Singoli 1N5419E3

Microsemi Corporation 1N5419E3

Numero di parte
1N5419E3
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 180 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    3.53000/pcs

  • 10 pcs

    3.15000/pcs
Totale:3.53000/pcs Unit Price:
3.53000/pcs		 Etichetta del prezzo:
 Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte 1N5419E3
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 500V
Corrente - Rettificato medio (Io) 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 9A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 250ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 500V
Capacità @ Vr, F -
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso B, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore -
Temperatura operativa - Giunzione -65°C ~ 175°C
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