Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Diodi - Raddrizzatori - Singoli 1N5417US

Microsemi Corporation 1N5417US

Numero di parte
1N5417US
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
DIODE GEN PURP 200V 3A D5B
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 222 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    7.14000/pcs
  • 10 pcs

    6.48900/pcs
  • 25 pcs

    6.00240/pcs
Totale:7.14000/pcs Unit Price:
7.14000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte 1N5417US
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Corrente - Rettificato medio (Io) 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 9A
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 150ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 200V
Capacità @ Vr, F -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso E-MELF
Pacchetto dispositivo fornitore D-5B
Temperatura operativa - Giunzione -65°C ~ 175°C
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