Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Diodi - Raddrizzatori - Singoli 1N4150-1

Microsemi Corporation 1N4150-1

Numero di parte
1N4150-1
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.

In stock 2072 pz

  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)

  • 1 pcs

    1.02500/pcs

  • 10 pcs

    0.92600/pcs

  • 25 pcs

    0.82680/pcs

  • 100 pcs

    0.74420/pcs

  • 250 pcs

    0.66150/pcs

  • 500 pcs

    0.57881/pcs

  • 1,000 pcs

    0.47959/pcs

  • 2,500 pcs

    0.44651/pcs

  • 5,000 pcs

    0.44100/pcs
Totale:1.02500/pcs Unit Price:
1.02500/pcs		 Etichetta del prezzo:
 Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte 1N4150-1
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Corrente - Rettificato medio (Io) 200mA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 200mA
Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr) 4ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 100nA @ 50V
Capacità @ Vr, F -
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso DO-204AH, DO-35, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore DO-35
Temperatura operativa - Giunzione -65°C ~ 175°C
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