Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF 1014-12

Microsemi Corporation 1014-12

Numero di parte
1014-12
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS RF BIPO 39W 5A 55LT1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

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In stock 143 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

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  • 50 pcs

    90.05110/pcs
Totale:90.05110/pcs Unit Price:
90.05110/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte 1014-12
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequenza - Transizione 1GHz ~ 1.4GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) -
Guadagno 6.8dB
Potenza - Max 39W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 200mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 5A
temperatura di esercizio 200°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso 55LT
Pacchetto dispositivo fornitore 55LT
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