| Numero di parte | M1002G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Funzione | Transceiver |
| Modulazione o protocollo | EDGE, GPRS |
| Frequenza | 850MHz, 900MHz, 1.8GHz, 1.9GHz |
| applicazioni | - |
| Interfaccia | SPI, USB |
| sensibilità | -158dBm |
| Potenza - Uscita | - |
| Velocità dati (max) | 3.6Mbps |
| Caratteristiche | - |
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 85.5VWM 137VC CASE1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 85.5VWM 137VC CASE1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 85.5VWM 137VC CASE1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 85.5VWM 137VC CASE1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC CASE1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC CASE1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 8.55VWM 14.5VC CASE1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 94VWM 152VC CASE1
Disponibile: 0
fabbricante: Microsemi Corporation
Descrizione: TVS DIODE 94VWM 152VC CASE1
Disponibile: 0