Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli MUBW50-12E8

IXYS MUBW50-12E8

Numero di parte
MUBW50-12E8
fabbricante
IXYS
Descrizione
MODULE IGBT CBI E3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
IXYS

IXYS

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Numero di parte MUBW50-12E8
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT -
Configurazione Three Phase Inverter with Brake
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 90A
Potenza - Max 350W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Corrente - Limite del collettore (max) 800µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 3.8nF @ 25V
Ingresso Three Phase Bridge Rectifier
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso E3
Pacchetto dispositivo fornitore E3
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