Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli MIAA10WF600TMH

IXYS MIAA10WF600TMH

Numero di parte
MIAA10WF600TMH
fabbricante
IXYS
Descrizione
MODULE IGBT CBI
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
IXYS

IXYS

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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte MIAA10WF600TMH
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT
Configurazione Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 18A
Potenza - Max 70W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 10A
Corrente - Limite del collettore (max) 600µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 0.45nF @ 25V
Ingresso Three Phase Bridge Rectifier
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso MiniPack2
Pacchetto dispositivo fornitore MiniPack2
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