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| Numero di parte | IXTV110N25TS |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 157nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9400pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 694W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 55A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS-220SMD |
| Pacchetto / caso | PLUS-220SMD |
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220
Disponibile: 0
