Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli IXST30N60CD1

IXYS IXST30N60CD1

Numero di parte
IXST30N60CD1
fabbricante
IXYS
Descrizione
IGBT 600V 55A 200W TO268
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
IXYS

IXYS

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Numero di parte IXST30N60CD1
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 55A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 110A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A
Potenza - Max 200W
Cambiare energia 700µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 100nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 30ns/90ns
Condizione di test 480V, 30A, 4.7 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 50ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitore TO-268
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