Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli IXGT32N170 T&R

IXYS IXGT32N170 T&R

Numero di parte
IXGT32N170 T&R
fabbricante
IXYS
Descrizione
IGBT 1700V 75A 350W TO268
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
IXYS

IXYS

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Parametro del prodotto
Numero di parte IXGT32N170 T&R
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 75A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.3V @ 15V, 32A
Potenza - Max 350W
Cambiare energia 11mJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 155nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 45ns/270ns
Condizione di test 1020V, 32A, 2.7 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitore TO-268
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