Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Singoli IXGP2N100

IXYS IXGP2N100

Numero di parte
IXGP2N100
fabbricante
IXYS
Descrizione
IGBT 1000V 4A 25W TO220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
IXYS

IXYS

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IXGP2N100
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 4A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 8A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 2A
Potenza - Max 25W
Cambiare energia 560µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 7.8nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 15ns/300ns
Condizione di test 800V, 2A, 150 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
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