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| Numero di parte | IXFN106N20 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 106A |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 380nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9000pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 520W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 500mA, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
| Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B
Disponibile: 85
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227
Disponibile: 19
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
Disponibile: 0
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B
Disponibile: 88
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
Disponibile: 300
fabbricante: IXYS
Descrizione: 850V/110A ULT JUNCT X-CLASS HIPE
Disponibile: 2
