Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IXFK100N10

IXYS IXFK100N10

Numero di parte
IXFK100N10
fabbricante
IXYS
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
IXYS

IXYS

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    (In dollari USA)
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Totale:9.81760/pcs Unit Price:
9.81760/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IXFK100N10
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9000pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 75A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-264AA (IXFK)
Pacchetto / caso TO-264-3, TO-264AA
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