IXYS IXFB60N80P

Numero di parte: IXFB60N80P
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

IXYS

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Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
11.83500/pcs
10 pcs
10.75800/pcs
100 pcs
9.14430/pcs

Totale:11.83500/pcs

Unit Price:

11.83500/pcs

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Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	IXFB60N80P
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	250nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	18000pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PLUS264™
Pacchetto / caso	TO-264-3, TO-264AA