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| Numero di parte | IXFA4N100Q-TRL |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 2A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (IXFA) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
Disponibile: 300
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
Disponibile: 800
fabbricante: IXYS
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 4A TO-263AA
Disponibile: 0
