Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli IXDN75N120

IXYS IXDN75N120

Numero di parte
IXDN75N120
fabbricante
IXYS
Descrizione
IGBT 1200V 150A SOT-227B
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
IXYS

IXYS

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In stock 12 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    18.89000/pcs
  • 10 pcs

    17.47300/pcs
  • 25 pcs

    16.05600/pcs
  • 100 pcs

    14.92270/pcs
  • 250 pcs

    13.69488/pcs
Totale:18.89000/pcs Unit Price:
18.89000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IXDN75N120
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 150A
Potenza - Max 660W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 75A
Corrente - Limite del collettore (max) 4mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 5.5nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227B
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