Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli SPD30P06P G

Infineon Technologies SPD30P06P G

Numero di parte
SPD30P06P G
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte SPD30P06P G
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1535pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 21.5A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO252-3
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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