Numero di parte | SPB80N03S2L-06 |
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Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2530pF @ 25V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9 mOhm @ 80A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3-2 |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
fabbricante: H&D Wireless AB
Descrizione: RF TXRX MODULE WIFI CHIP ANT
Disponibile: 11
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Disponibile: 0