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| Numero di parte | IRFU540ZPBF |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1690pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 91W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.5 mOhm @ 21A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | IPAK (TO-251) |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
Disponibile: 2507
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
Disponibile: 2685
fabbricante: Vishay Siliconix
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK
Disponibile: 3291
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
Disponibile: 0
