Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IRFU3607PBF

Infineon Technologies IRFU3607PBF

Numero di parte
IRFU3607PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 75V 56A I-PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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In stock 2222 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.85500/pcs
  • 10 pcs

    0.80400/pcs
  • 100 pcs

    0.63550/pcs
  • 500 pcs

    0.49282/pcs
  • 1,000 pcs

    0.38907/pcs
Totale:0.85500/pcs Unit Price:
0.85500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IRFU3607PBF
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 56A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3070pF @ 50V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 46A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore IPAK (TO-251)
Pacchetto / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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