Infineon Technologies IRFS3306PBF

Numero di parte: IRFS3306PBF
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Infineon Technologies

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In stock 13217 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
1.28500/pcs
10 pcs
1.21950/pcs
100 pcs
0.98010/pcs
500 pcs
0.76230/pcs
1,000 pcs
0.63162/pcs

Totale:1.28500/pcs

Unit Price:

1.28500/pcs

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Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	IRFS3306PBF
Stato parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4520pF @ 50V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2 mOhm @ 75A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB