Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IRFP3006PBF

Infineon Technologies IRFP3006PBF

Numero di parte
IRFP3006PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 257A TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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In stock 2430 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    3.01500/pcs
  • 10 pcs

    2.84650/pcs
  • 100 pcs

    2.33405/pcs
  • 500 pcs

    1.89000/pcs
  • 1,000 pcs

    1.59397/pcs
Totale:3.01500/pcsUnit Price:
3.01500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parteIRFP3006PBF
Stato parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C195A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs300nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds8970pF @ 50V
Vgs (massimo)±20V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5 mOhm @ 170A, 10V
temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AC
Pacchetto / casoTO-247-3
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