Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IRFBA90N20DPBF

Infineon Technologies IRFBA90N20DPBF

Numero di parte
IRFBA90N20DPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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In stock 1315 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    3.29000/pcs
  • 10 pcs

    3.11100/pcs
  • 100 pcs

    2.55800/pcs
  • 500 pcs

    2.14319/pcs
  • 1,000 pcs

    1.86665/pcs
Totale:3.29000/pcs Unit Price:
3.29000/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IRFBA90N20DPBF
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 98A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6080pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 650W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 59A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore SUPER-220™ (TO-273AA)
Pacchetto / caso Super-220™-3 (Straight Leads)
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