Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli IRFB3806PBF

Infineon Technologies IRFB3806PBF

Numero di parte
IRFB3806PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 43A TO-220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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In stock 13112 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.53500/pcs
  • 10 pcs

    0.47100/pcs
  • 100 pcs

    0.36355/pcs
  • 500 pcs

    0.26928/pcs
  • 1,000 pcs

    0.21543/pcs
Totale:0.53500/pcs Unit Price:
0.53500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte IRFB3806PBF
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 43A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1150pF @ 50V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.8 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
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