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| Numero di parte | IRF7343QTRPBF |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.7A, 3.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 25V |
| Potenza - Max | 2W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Disponibile: 1714
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
Disponibile: 2779
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8SOIC
Disponibile: 0
