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| Numero di parte | IRF3205LPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 146nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3247pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 62A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N CH 75V 62A D2PAK
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET IFX OPTIMOS TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET IFX OPTIMOS TO247
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
Disponibile: 1776
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
Disponibile: 7392
