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| Numero di parte | IPW90R1K2C3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.1A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 310µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 2.8A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
Disponibile: 358
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 900V 5.7A TO-247
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247
Disponibile: 577
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 900V 15A TO-247
Disponibile: 130
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 900V 11A TO-247
Disponibile: 2471
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247
Disponibile: 243
