Infineon Technologies IPP80R900P7XKSA1

Numero di parte: IPP80R900P7XKSA1
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Infineon Technologies

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In stock 13872 pz

Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
1 pcs
0.94000/pcs
10 pcs
0.80250/pcs
100 pcs
0.63415/pcs
500 pcs
0.49178/pcs
1,000 pcs
0.38825/pcs

Totale:0.94000/pcs

Unit Price:

0.94000/pcs

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Quantità:

Parametro del prodotto

Numero di parte	IPP80R900P7XKSA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	900 mOhm @ 2.2A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3