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| Numero di parte | IPP023N08N5AKSA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 208µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 166nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12100pF @ 40V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO-220-3 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH TO220-3
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 75V 120A TO220
Disponibile: 0
