Infineon Technologies IPI50R250CPXKSA1

Numero di parte: IPI50R250CPXKSA1
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Infineon Technologies

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Prezzo di riferimento
(In dollari USA)
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Parametro del prodotto

Numero di parte	IPI50R250CPXKSA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	13A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 520µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1420pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 7.8A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO262-3
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA