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| Numero di parte | IPG15N06S3L-45 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1420pF @ 25V |
| Potenza - Max | 21W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerVDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8-4 |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
Disponibile: 0
