Infineon Technologies IPA60R099C7XKSA1

Numero di parte: IPA60R099C7XKSA1
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 600V TO220-3
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Infineon Technologies

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Numero di parte	IPA60R099C7XKSA1
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 490µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1819pF @ 400V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99 mOhm @ 9.7A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO220-FP
Pacchetto / caso	TO-220-3 Full Pack