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| Numero di parte | IDK04G65C5XTMA2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 4A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 4A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 670µA @ 650V |
| Capacità @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-2 |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO263-2
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO263-2
Disponibile: 0
