Infineon Technologies BSS126H6327XTSA2

Numero di parte: BSS126H6327XTSA2
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Infineon Technologies

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Numero di parte	BSS126H6327XTSA2
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	21mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	0V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 8µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.1nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	28pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 Ohm @ 16mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-SOT23-3
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3