Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array BSL308CL6327HTSA1

Infineon Technologies BSL308CL6327HTSA1

Numero di parte
BSL308CL6327HTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Numero di parte BSL308CL6327HTSA1
Stato parte Obsolete
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 11µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 500nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 275pF @ 15V
Potenza - Max 500mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSOP
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fabbricante: Infineon Technologies

Descrizione: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP

Disponibile: 3000

RFQ 0.10375/pcs
BSL308CL6327HTSA1

fabbricante: Infineon Technologies

Descrizione: MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP

Disponibile: 0

RFQ -
BSL308PEH6327XTSA1

fabbricante: Infineon Technologies

Descrizione: MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP

Disponibile: 0

RFQ 0.09940/pcs
BSL308PEL6327HTSA1

fabbricante: Infineon Technologies

Descrizione: MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP

Disponibile: 0

RFQ -