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| Numero di parte | BSC130P03LS G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 22.5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73.1nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3670pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 22.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8
Disponibile: 5000
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 300V 8TDSON
Disponibile: 5000
