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| Numero di parte | BSC12DN20NS3 G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11.3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 680pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 5.7A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TDSON-8 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
Disponibile: 15000
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
Disponibile: 30000
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 80V 55A TDSON-8
Disponibile: 110000
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
Disponibile: 10000
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Disponibile: 5000
