Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli BCW 66G E6327

Infineon Technologies BCW 66G E6327

Numero di parte
BCW 66G E6327
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
TRANS NPN 45V 0.8A SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Numero di parte BCW 66G E6327
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max) 800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 450mV @ 50mA, 500mA
Corrente - Limite del collettore (max) 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 100mA, 1V
Potenza - Max 330mW
Frequenza - Transizione 170MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT23-3
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