Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli BC849CE6327HTSA1

Infineon Technologies BC849CE6327HTSA1

Numero di parte
BC849CE6327HTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte BC849CE6327HTSA1
Stato parte Last Time Buy
Transistor Type NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Corrente - Limite del collettore (max) 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
Potenza - Max 330mW
Frequenza - Transizione 250MHz
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore PG-SOT23-3
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