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| Numero di parte | AUIRG4PH50S |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 57A |
| Corrente - Collector Pulsed (Icm) | 114A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 33A |
| Potenza - Max | 200W |
| Cambiare energia | 1.8mJ (on), 19.6mJ (off) |
| Tipo di input | Standard |
| Carica del cancello | 167nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 32ns/845ns |
| Condizione di test | 960V, 33A, 5 Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247AC |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IC BUFFER GATE DRVR 8SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IC DVR HALF-BRDG SELF OSC 8SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IC MFET DRVR HIGH SIDE 8SOIC
Disponibile: 2500
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IC MFET DRVR HIGH SIDE 8SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IR_HSS-LSS-GATEDRIVER
Disponibile: 0
