Numero di parte | AUIRF7319QTR |
---|---|
Stato parte | Active |
Tipo FET | N and P-Channel |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6.5A, 4.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 5.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 25V |
Potenza - Max | 2W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IC BUFFER GATE DRVR 8SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IC DVR HALF-BRDG SELF OSC 8SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IC MFET DRVR HIGH SIDE 8SOIC
Disponibile: 2500
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IC MFET DRVR HIGH SIDE 8SOIC
Disponibile: 0
fabbricante: Infineon Technologies
Descrizione: IR_HSS-LSS-GATEDRIVER
Disponibile: 0