GeneSiC Semiconductor S12Q

Numero di parte: S12Q
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Diodi - Raddrizzatori - Singoli

GeneSiC Semiconductor

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(In dollari USA)
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Parametro del prodotto

Numero di parte	S12Q
Stato parte	Active
Tipo diodo	Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max)	1200V
Corrente - Rettificato medio (Io)	12A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.1V @ 12A
Velocità	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)	-
Corrente - Perdita inversa @ Vr	10µA @ 50V
Capacità @ Vr, F	-
Tipo di montaggio	Chassis, Stud Mount
Pacchetto / caso	DO-203AA, DO-4, Stud
Pacchetto dispositivo fornitore	DO-4
Temperatura operativa - Giunzione	-65°C ~ 175°C