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Numero di parte | MSRTA200100(A)D |
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Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Series Connection |
Tipo diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 200A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 200A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Three Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Three Tower |
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: DIODE GEN 1KV 200A 3 TOWER
Disponibile: 0
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
Disponibile: 0
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER
Disponibile: 0
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
Disponibile: 0
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
Disponibile: 0
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER
Disponibile: 0
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER
Disponibile: 0
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER
Disponibile: 0
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER
Disponibile: 0
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER
Disponibile: 0