Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Diodi - Raddrizzatori - Array MSRT200120(A)D

GeneSiC Semiconductor MSRT200120(A)D

Numero di parte
MSRT200120(A)D
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Descrizione
DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Array
GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor

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In stock 463 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    27.91760/pcs
  • 25 pcs

    27.91760/pcs
Totale:27.91760/pcs Unit Price:
27.91760/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte MSRT200120(A)D
Stato parte Active
Configurazione diodi 1 Pair Series Connection
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 200A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 200A
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 1200V
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Three Tower
Pacchetto dispositivo fornitore Three Tower
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