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| Numero di parte | 1N8024-GA |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 750mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.74V @ 750mA |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | 66pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-257-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-257 |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 250°C |
