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| Numero di parte | FDMS86255ET150 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta), 63A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4480pF @ 75V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.3W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.4 mOhm @ 10A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Power56 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 55A 8-PQFN
Disponibile: 9000
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A PWR56
Disponibile: 18000
