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| Numero di parte | FDMS10C4D2N |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | - |
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 26A PT8
Disponibile: 2643
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 24A PT8
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 21A PT8
Disponibile: 3000
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 22.1A POWER56
Disponibile: 3000
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 19A PT8
Disponibile: 156000
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 18A PT8
Disponibile: 429000
