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| Numero di parte | FDME410NZT |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1025pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 7A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Pacchetto / caso | 6-PowerUFDFN |
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET
Disponibile: 5000
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET
Disponibile: 20000
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET
Disponibile: 10000
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
Disponibile: 5000
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6
Disponibile: 5000
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET P CH 20V 8A MICROFET
Disponibile: 0
