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| Numero di parte | FDMC86160ET100 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta), 43A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1290pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 mOhm @ 9A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Power33 |
| Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET POW
Disponibile: 6000
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 30A 8-PQFN
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N/P-CH 150V
Disponibile: 0
