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| Numero di parte | FDI047AN08A0 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 138nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6600pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 310W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 80A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK (TO-262) |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB
Disponibile: 780
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3
Disponibile: 1908
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB
Disponibile: 0
